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元件参数资料
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参数目录50197
> BSC050NE2LS MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
型号:
BSC050NE2LS
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSC050NE2LS PDF
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
58A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
760pF @ 12V
功率 - 最大
28W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PG-TDSON-8
包装
标准包装
其它名称
BSC050NE2LSDKR
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